Vishay发布其2015年"Super 12"特色产品。每一年，Vishay都会挑出12个采用新的和改进技术，能够显著提高最终产品和系统性能的重要半导体和无源元件。Vishay的Super 12精选产品代表了该公司在半导体和无源器件领域的领先水平，让人能够从中管窥Vishay非常宽的产品组合。

2015年Super 12产品如下：

Vishay Semiconductors FRED Pt Gen 4超快恢复二极管 - 这些600V和650V二极管完美匹配Vishay的新型Trench IGBT，具有超低的正向电压和反向恢复电荷，能够减少损耗，提高效率，同时其极软的关断动作能够在所有开关条件下使过压最小化。

Vishay BCcomponents 196 HVC ENYCAP 混合 ENergY储能电容器 - 电容器的高度低至2.5mm，能量密度达到13Ws/g，在能量采集和电力线备用应用中能够节省空间，各种管脚布局、容值和电压等级为设计者提供了超群的灵活性。

Vishay Siliconix SiHP33N60EF / EF快速体二极管N沟道功率MOSFET - EF系列器件采用第二代超级结技术制造，反向恢复电荷(Qrr)比标准MOSFET低10倍，能够实现更高的可靠性。33 A SiHP33N60EF具有98Ω的超低导通电阻，在大功率、高性能的开关应用中能节省能源。

Vishay Sfernice大尺寸电爆破点火片式(MEPIC)电阻器 - MEPIC电阻具有焦耳效应或闪光点火功能，使点火时间不到250μs，具有非常可预测的、可重复出现的和可靠的动作，点火能量低至1.5mJ，欧姆值从1Ω到8Ω。

Vishay Siliconix SiC620R VRPower集成式DrMOS功率级 - 下一代SiC620R采用新型5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封装，可双面冷却，在典型多相降压转换器里能实现70A电流和95%效率，同时将功率损耗减少20%。

Vishay Dale WSHM2818 Power Metal Strip检流电阻 - WSHM2818通过AEC-Q200认证，在汽车、工业、计算机和消费应用中能有效节省空间，具有7W功率和1mΩ的极低阻值，采用紧凑的2818外形尺寸。

Vishay Siliconix -20 V Si7157DP TrenchFET P沟道Gen III功率MOSFET - Si7157DP具有N沟道MOSFET中最低的导通电阻，可在移动计算设备里提高效率，器件的6.15mm x 5.15mm PowerPAK SO-8封装节省宝贵的PCB空间。

Vishay Beyschlag MMA 0204 HV和MMB 0207 HV专业薄膜高压MELF电阻 - 对于可靠性和稳定性是首要考虑因素的医疗设备和其他电子产品，MMA 0204 HV和MMB 0207 HV具有稳健的结构，能在1000V电压下连续工作，浪涌电压高达3kV。

Vishay Semiconductors PLZ系列稳压二极管 - PLZ系列器件是首个采用新型超小尺寸、超薄MicroSMF eSMP系列封装，功率耗散达500mW的稳压二极管，具有极为严格的2.5%电压公差、极低的泄漏电流和优异的稳定性。

集成E屏蔽的Vishay Dale IHLE-4040DC-5A超薄、大电流电感器 - IHLE-4040DC-5A不需要对电感器采取单独的板级屏蔽，能在汽车和其他应用里降低成本和节省空间，使电场减小最多20dB。

Vishay Semiconductors VOW3120 宽体 IGBT和MOSFET驱动器 - VOW3120可用于高工作电压的应用，最短电气间隙和外爬电距离为10mm，具有高隔离电压，VIORM为1414V，VIOTM为8000V。

Vishay BCcomponents AY2系列汽车级陶瓷安规电容器 - 用于交流线路的陶瓷盘式安规电容器可为Class X1(440VAC)和Y2(300VAC)汽车应用提供高可靠性，适用于电动汽车和插入式混合电动汽车(PHEV)里的板上充电器和电池管理。