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VS-GB100NH120N
制造厂商:Vishay(威世)
类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:双 INT-A-PAK(3 + 4)
技术参数:IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
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技术参数详情:
制造商产品型号:VS-GB100NH120N制造商:Vishay Semiconductor (威世半导体)描述:IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK系列:晶体管 - IGBT - 模块零件状态:停产IGBT类型:-配置:单路电压-集射极击穿(最大值):1200V电流-集电极(Ic)(最大值):200A功率-最大值:833W不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.35V @ 15V,100A电流-集电极截止(最大值):5mA不同?Vce时输入电容(Cies):8.58nF @ 25V输入:标准NTC热敏电阻:无工作温度:150°C(TJ)安装类型:底座安装封装:双 INT-A-PAK(3 + 4)现在可以订购VS-GB100NH120N,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。