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VS-C04ET07T-M3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：二极管 - 射频，封装：TO-220-2
技术参数：SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
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技术参数详情：
制造商产品型号：VS-C04ET07T-M3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：SILICON CARBIDE DIODE - TO-220系列：二极管 - 射频零件状态：有源二极管类型：肖特基 - 单电压-峰值反向（最大值）：650V电流-最大值：4A不同?Vr、F时电容：170pF @ 1V，1MHz不同?If、F时电阻：-功率耗散（最大值）：40W工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）封装：TO-220-2现在可以订购VS-C04ET07T-M3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
