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VQ2001P-2
制造厂商:Vishay(威世)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:14-DIP
技术参数:MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
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技术参数详情:
制造商产品型号:VQ2001P-2制造商:Vishay Semiconductor (威世半导体)描述:MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:停产FET类型:4 个 P 通道FET功能:标准漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):600mA不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2 欧姆 @ 1A,12V不同Id时Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):150pF @ 15V功率-最大值:2W工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔封装:14-DIP现在可以订购VQ2001P-2,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。