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VQ1001P
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：-
技术参数：MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
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技术参数详情：
制造商产品型号：VQ1001P制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：4 个 N 通道FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：830mA不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.75 欧姆 @ 200mA，5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：110pF @ 15V功率-最大值：2W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：-现在可以订购VQ1001P，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
