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SQUN702E-T1_GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：模具
技术参数：MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
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技术参数详情：
制造商产品型号：SQUN702E-T1_GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?零件状态：有源FET类型：N 和 P 沟道，共漏FET功能：标准漏源电压（Vdss）：40V，200V25°C时电流-连续漏极(Id)：30A（Tc），20A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.2 毫欧 @ 9.8A，10V，60 毫欧 @ 5A，10V，30 毫欧 @ 6A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA，3.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23nC，14nC，30.2nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1474pF，1450pF，1302pF @ 20V，100V功率-最大值：48W（Tc），60W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装：模具现在可以订购SQUN702E-T1_GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
