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SQM120P04-04L_GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-263（D2Pak）
技术参数：MOSFET P-CH 40V 120A TO263
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技术参数详情：
制造商产品型号：SQM120P04-04L_GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET P-CH 40V 120A TO263系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：120A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4 毫欧 @ 30A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：330nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：13980pF @ 20VFET功能：-功率耗散（最大值）：375W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-263（D2Pak）现在可以订购SQM120P04-04L_GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
