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Vishay(威世)
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产品参考图片
SQM120P04-04L-GE3 图片
SQM120P04-04L-GE3
  • 制造厂商:Vishay(威世)
  • 类别封装:单端场效应管,原厂封装
  • 技术参数:MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
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    技术参数详情:
  • Vishay威世半导体原厂型号:SQM120P04-04L-GE3
  • 制造商:Vishay Semiconductor (威世半导体)
  • 描述:MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
  • 系列:自动, AEC-Q101, TrenchFET
  • FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):40V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):120A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):330nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13980pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:375W
  • 安装类型:*
  • 封装/外壳:*
  • 供应商器件封装:*
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