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SQM120N04-1M9-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：单端场效应管，TO-263
技术参数：MOSFET N-CH 40V 120A TO263
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技术参数详情：
Vishay威世半导体原厂型号：SQM120N04-1M9-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET N-CH 40V 120A TO263系列：TrenchFETFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.9 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：270nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8790pF @ 25V功率 - 最大值：300W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：TO-263现在可以订购SQM120N04-1M9-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
