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SQJ912DEP-T1_GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：PowerPAK? SO-8 双
技术参数：AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
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技术参数详情：
制造商产品型号：SQJ912DEP-T1_GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：30A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.3 毫欧 @ 7A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：36nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-功率-最大值：27W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：PowerPAK? SO-8 双现在可以订购SQJ912DEP-T1_GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
