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SQ4284EY-T1-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：场效应管阵列，8-SO
技术参数：MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
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技术参数详情：
Vishay威世半导体原厂型号：SQ4284EY-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC系列：自动， AEC-Q101， TrenchFETFET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：13.5 毫欧 @ 7A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：45nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2200pF @ 25V功率 - 最大值：3.9W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SO现在可以订购SQ4284EY-T1-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
