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SQ3460EV-T1-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：单端场效应管，6-TSOP
技术参数：MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
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技术参数详情：
Vishay威世半导体原厂型号：SQ3460EV-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP系列：TrenchFETFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 5.1A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1060pF @ 10V功率 - 最大值：3.6W安装类型：表面贴装封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6供应商器件封装：6-TSOP现在可以订购SQ3460EV-T1-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
