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SQ1912EH-T1_GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
技术参数：MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
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技术参数详情：
制造商产品型号：SQ1912EH-T1_GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：800mA（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：280 毫欧 @ 1.2A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.15nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：75pF @ 10V功率-最大值：1.5W工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363现在可以订购SQ1912EH-T1_GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
