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产品参考图片
SQ1912EH-T1_GE3 图片
SQ1912EH-T1_GE3
  • 制造厂商:Vishay(威世)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 技术参数:MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:SQ1912EH-T1_GE3
  • 制造商:Vishay Semiconductor (威世半导体)
  • 描述:MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):800mA(Tc)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):280 毫欧 @ 1.2A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):1.15nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):75pF @ 10V
  • 功率-最大值:1.5W
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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