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SIZ998DT-T1-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerWDFN
技术参数：MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
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技术参数详情：
制造商产品型号：SIZ998DT-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：TrenchFET?零件状态：有源FET类型：2 个 N 通道（双），肖特基FET功能：标准漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：20A (Tc)，60A (Tc)不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.7 毫欧 @ 15A，10V，2.8 毫欧 @ 19A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.1nC @ 4.5V，19.8nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：930pF @ 15V，2620pF @ 15V功率-最大值：20.2W，32.9W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerWDFN现在可以订购SIZ998DT-T1-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
