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SIZ900DT-T1-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-PowerPair?
技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
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技术参数详情：
制造商产品型号：SIZ900DT-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：TrenchFET?零件状态：停产FET类型：2 个 N 通道（半桥）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：24A，28A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.2 毫欧 @ 19.4A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：45nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1830pF @ 15V功率-最大值：48W，100W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：6-PowerPair?现在可以订购SIZ900DT-T1-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
