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SIZ340BDT-T1-GE3
制造厂商:Vishay(威世)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerWDFN
技术参数:DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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技术参数详情:
制造商产品型号:SIZ340BDT-T1-GE3制造商:Vishay Semiconductor (威世半导体)描述:DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:有源FET类型:2 N-通道(双)FET功能:标准漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):16.9A(Ta),36A(Tc),25.3A(Ta),69.3A(Tc)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8.56毫欧 @ 10A,10V,4.31毫欧 @ 20A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):12.6nC @ 10V,23.5nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):550pF @ 15V,1065pF @ 15V功率-最大值:3.7W(Ta),16.7W(Tc),4.2W(Ta),31W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-PowerWDFN现在可以订购SIZ340BDT-T1-GE3,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。