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SIZ328DT-T1-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerWDFN
技术参数：MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
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技术参数详情：
制造商产品型号：SIZ328DT-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：TrenchFET? Gen IV零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：25V25°C时电流-连续漏极(Id)：11.1A（Ta），25.3A（Tc），15A（Ta），30A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 5A，10V，10 毫欧 @ 5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.9nC @ 10V，11.3nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：325pF @ 10V，600pF @ 10V功率-最大值：2.9W（Ta），15W（Tc），3.6W（Ta），16.2W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerWDFN现在可以订购SIZ328DT-T1-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
