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SIZ270DT-T1-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerWDFN
技术参数：DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE
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技术参数详情：
制造商产品型号：SIZ270DT-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：TrenchFET? Gen IV零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：7.1A（Ta），19.5A（Tc），6.9A（Ta），19.1A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：37.7 欧姆 @ 7A，10V，39.4 欧姆 @ 7A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：27nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：860pF @ 50V，845pF @ 50V功率-最大值：4.3W（Ta），33W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerWDFN现在可以订购SIZ270DT-T1-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
