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SISS92DN-T1-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
技术参数：MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：SISS92DN-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：TrenchFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：250V25°C时电流-连续漏极(Id)：3.4A（Ta），12.3A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：173 毫欧 @ 3.6A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：350pF @ 125VFET功能：-功率耗散（最大值）：5.1W (Ta)，65.8W (Tc)工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）现在可以订购SISS92DN-T1-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
