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SISS63DN-T1-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PowerPAK? 1212-8S
技术参数：MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：SISS63DN-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：TrenchFET? Gen III零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：35.1A（Ta），127.5A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.7 毫欧 @ 15A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：236nC @ 8VVgs（最大值）：±12V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7080pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：5W（Ta），65.8W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerPAK? 1212-8S现在可以订购SISS63DN-T1-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
