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SISF20DN-T1-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：PowerPAK? 1212-8SCD
技术参数：MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD
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技术参数详情：
制造商产品型号：SISF20DN-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：TrenchFET? Gen IV零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Ta），52A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：13 毫欧 @ 7A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1290pF @ 30V功率-最大值：5.2W（Ta），69.4W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：PowerPAK? 1212-8SCD现在可以订购SISF20DN-T1-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
