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SISA12DN-T1-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：单端场效应管，PowerPAK
技术参数：MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
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技术参数详情：
Vishay威世半导体原厂型号：SISA12DN-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8系列：TrenchFETFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：25A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.3 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：45nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2070pF @ 15V功率 - 最大值：28W安装类型：表面贴装封装/外壳：PowerPAK 1212-8供应商器件封装：PowerPAK 1212-8现在可以订购SISA12DN-T1-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
