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SIS932EDN-T1-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：PowerPAK? 1212-8 双
技术参数：MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
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技术参数详情：
制造商产品型号：SIS932EDN-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：TrenchFET?零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：22 毫欧 @ 10A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1000pF @ 15V功率-最大值：2.6W（Ta），23W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：PowerPAK? 1212-8 双现在可以订购SIS932EDN-T1-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
