Vishay威世中国代理商联接渠道
强大的Vishay芯片现货交付能力，助您成功
SIR422DP-T1-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PowerPAK? SO-8
技术参数：MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
（专注销售Vishay电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
技术参数详情：
制造商产品型号：SIR422DP-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：TrenchFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.6 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：48nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1785pF @ 20VFET功能：-功率耗散（最大值）：5W（Ta），34.7W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerPAK? SO-8现在可以订购SIR422DP-T1-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
