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SIHS36N50D-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：通孔
技术参数：D SERIES POWER MOSFET SUPER-247
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技术参数详情：
制造商产品型号：SIHS36N50D-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：D SERIES POWER MOSFET SUPER-247系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：管件零件状态：DFET类型：有源技术：N 通道漏源电压（Vdss）：MOSFET（金属氧化物）25°C时电流-连续漏极(Id)：500V驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：36A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：130 毫欧 @ 18A，10V不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5V @ 250μAVgs（最大值）：125nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：±30VFET功能：3233pF @ 100V功率耗散（最大值）：-工作温度：446W（Tc）安装类型：-55°C ~ 150°C（TJ）器件封装：通孔现在可以订购SIHS36N50D-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
