Vishay威世中国代理商联接渠道
强大的Vishay芯片现货交付能力，助您成功
SIHP4N80E-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220AB
技术参数：MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
（专注销售Vishay电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
技术参数详情：
制造商产品型号：SIHP4N80E-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：E零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：800V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.3A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.27 欧姆 @ 2A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：32nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：622pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：69W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-220AB现在可以订购SIHP4N80E-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
