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SIHA17N80AE-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220 整包
技术参数：MOSFET N-CH 800V 7A TO220
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技术参数详情：
制造商产品型号：SIHA17N80AE-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET N-CH 800V 7A TO220系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：800V25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：290 毫欧 @ 8.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：62nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1260pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：34W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-220 整包现在可以订购SIHA17N80AE-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
