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SIA533EDJ-T1-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：PowerPAK? SC-70-6 双
技术参数：MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
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技术参数详情：
制造商产品型号：SIA533EDJ-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：TrenchFET?零件状态：有源FET类型：N 和 P 沟道FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：12V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.5A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：34 毫欧 @ 4.6A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：420pF @ 6V功率-最大值：7.8W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：PowerPAK? SC-70-6 双现在可以订购SIA533EDJ-T1-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
