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SIA419DJ-T1-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PowerPAK? SC-70-6 单
技术参数：MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
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技术参数详情：
制造商产品型号：SIA419DJ-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：TrenchFET?零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 5.9A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：850mV @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：29nC @ 5VVgs（最大值）：±5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1500pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.5W（Ta），19W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerPAK? SC-70-6 单现在可以订购SIA419DJ-T1-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
