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SI8810EDB-T2-E1
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：4-Microfoot
技术参数：MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
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技术参数详情：
制造商产品型号：SI8810EDB-T2-E1制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：TrenchFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.1A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：72 毫欧 @ 1A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8nC @ 8VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：245pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：500mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：4-Microfoot现在可以订购SI8810EDB-T2-E1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
