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SI7911DN-T1-E3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：PowerPAK? 1212-8 双
技术参数：MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
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技术参数详情：
制造商产品型号：SI7911DN-T1-E3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：*零件状态：停产FET类型：2 个 P 沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.2A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：51 毫欧 @ 5.7A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-功率-最大值：1.3W工作温度：-安装类型：表面贴装型封装：PowerPAK? 1212-8 双现在可以订购SI7911DN-T1-E3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
