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SI7172ADP-T1-RE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PowerPAK? SO-8
技术参数：MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
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技术参数详情：
制造商产品型号：SI7172ADP-T1-RE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：200V25°C时电流-连续漏极(Id)：5.3A（Ta），17.2A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19.5nC @ 10VVgs（最大值）：-不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1110pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：-工作温度：-55°C ~ 125°C安装类型：表面贴装型器件封装：PowerPAK? SO-8现在可以订购SI7172ADP-T1-RE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
