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SI5908DC-T1-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SMD，扁平引线
技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
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技术参数详情：
制造商产品型号：SI5908DC-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：TrenchFET?零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.4A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.5nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-功率-最大值：1.1W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SMD，扁平引线现在可以订购SI5908DC-T1-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
