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SI5858DU-T1-E3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PowerPAK? ChipFet 双
技术参数：MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
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技术参数详情：
制造商产品型号：SI5858DU-T1-E3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：LITTLE FOOT?零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：39 毫欧 @ 4.4A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 8VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：520pF @ 10VFET功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），8.3W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerPAK? ChipFet 双现在可以订购SI5858DU-T1-E3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
