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SI4567DY-T1-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：SI4567DY-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：TrenchFET?零件状态：停产FET类型：N 和 P 沟道FET功能：标准漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：5A，4.4A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 4.1A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：355pF @ 20V功率-最大值：2.75W，2.95W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购SI4567DY-T1-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
