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产品参考图片
SI4563DY-T1-GE3 图片
SI4563DY-T1-GE3
  • 制造厂商:Vishay(威世)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 技术参数:MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:SI4563DY-T1-GE3
  • 制造商:Vishay Semiconductor (威世半导体)
  • 描述:MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:TrenchFET?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 和 P 沟道
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):8A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):16 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):85nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2390pF @ 20V
  • 功率-最大值:3.25W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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