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SI4500BDY-T1-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：SI4500BDY-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：*零件状态：停产FET类型：N 和 P 沟道，共漏FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：6.6A，3.8A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 9.1A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-功率-最大值：1.3W工作温度：-安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购SI4500BDY-T1-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
