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SI3481DV-T1-GE3
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：6-TSOP
技术参数：MOSFET P-CH 30V 4A 6TSOP
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技术参数详情：
制造商产品型号：SI3481DV-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半导体）描述：MOSFET P-CH 30V 4A 6TSOP系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：TrenchFET?零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：48 毫欧 @ 5.3A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：25nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-FET功能：-功率耗散（最大值）：1.14W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：6-TSOP现在可以订购SI3481DV-T1-GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
